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銦鎵砷探測器DInGaAs系列

產品型號：DInGaAs系列
產品時間：2024-05-20
簡要描述：常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）
——室溫型近紅外探測器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件；

產品介紹

常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）

——室溫型近紅外探測器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs元件；
● DInGaAs1700-R03M型內裝進口InGaAs元件；
● DInGaAs1700型內裝進口大面積InGaAs元件；
● DInGaAs2600型內裝進口InGaAs元件

型號列表及主要技術指標：

型號/參數	DInGaAs1600	DInGaAs1650	DInGaAs1700-R03M	DInGaAs1700	DInGaAs2600
光敏面直徑（mm）	1.5	5	3	5	3
波長范圍（nm）	900-1600	900-1650	800-1700	800-1700	800-2600
峰值響應度（A/W, 小）	0.85	0.85	0.9	0.95	1.1
暗電流（nA, 大）	0.1	200	100	10μA	1mA
D*（典型值）	-	-	2.3×1012	9.6×1011	4.1×1010
NEP（典型值）	-	-	1.2×10-13	2.8×10-13	6.5×10-12
阻抗（MΩ）	30	1	1.5	50kΩ	320Ω
電容（pF）	80	1500	800	-	9000
響應時間（ns）	8	160	100	300	1μs
信號輸出模式	電流	電流	電流	電流	電流
輸出信號性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）

■ TE制冷型銦鎵砷探測器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件，光譜響應曲線參考圖如下：

型號列表及主要技術指標：

型號/參數	DInGaAs1700-TE	DInGaAs1900-TE	DInGaAs2200-TE	DInGaAs2400-TE	DInGaAs2600-TE
光敏面直徑（mm）	3	3	3	3	3
波長范圍（nm）	800-1700	800-1900	800-2200	800-2400	800-2600
峰值響應度（A/W）	0.9	1	1.1	1.15	1.2
D*（典型值）	8.4×1013	9.1×1012	1.9×1012	9.6×1011	4.9×1011
NEP（典型值）	3.2×10-15	2.9×10-14	1.4×10-13	2.8×10-13	5.5×10-13
溫控器型號	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC
探測器溫度（℃）	-40	-40	-40	-40	-40
溫度穩定度（℃）	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5
環境溫度（℃）	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信號輸出模式	電流	電流	電流	電流	電流
輸出信號性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）
備注	制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）推薦使用前置放大器型號：ZPA-7

銦鎵砷探測器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZPA-7（Page85）做為前級放大并轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制；